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机译:用受磁场影响的半导体系统的流动来限制短路的装置
公开/公告号DE1135998B
专利类型
公开/公告日1962-09-06
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE1960S068298
发明设计人 WEISS DR HERBERT;
申请日1960-04-30
分类号H02H9/02;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 17:50:15
机译: 用于检测变速杆位置的汽车的开关装置的位置检测装置,在磁场部分具有影响磁场产生装置的磁场的磁场影响装置
机译: 在视场中影响和/或检测磁性粒子的设备,在视场中影响和/或检测磁性粒子的方法,计算机程序以及用于在设备中产生影响的单元场信号驱动器和/或部分在磁场中
机译: 补偿外部杂散磁场的装置或补偿磁场梯度对磁场传感器的影响的装置