首页> 美国政府科技报告 >Influence of a Magnetic Field on High-Frequency Relaxation Time in N-type Polar Semiconductors
【24h】

Influence of a Magnetic Field on High-Frequency Relaxation Time in N-type Polar Semiconductors

机译:磁场对N型极化半导体高频弛豫时间的影响

获取原文

摘要

No abstract available.

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号