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机译:在半导体体的表面上具有至少两个合金电极的半导体装置
公开/公告号DE1171538B
专利类型
公开/公告日1964-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 TELEFUNKEN PATENT;
申请/专利号DE1961T020237
发明设计人 ENGBERT DR WILHELM;
申请日1961-06-02
分类号H01L21/00;H01L21/24;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/73;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 16:32:37
机译: 一种将npn晶体管的表面-由带有合金电极的铅合金制成的表面-电解蚀刻至锗制成的半导体的方法
机译: 通过在半导体本体的机械破坏的表面层中使接触材料合金化来制造半导体器件的方法
机译: 通过电极和半导电板的部分合金化到半导体上来制造半导体器件的方法以及实施该方法的形式