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method for the manufacture of a semiconductor element with a through a closed polygon forming deepening into two parts divided zone

机译：具有形成为加深为两个部分的分隔区域的闭合闭合多边形的半导体元件的制造方法

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机译：

著录项

  • 公开/公告号DE000001191493A

    专利类型

  • 公开/公告日1965-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号DES0076830A

  • 发明设计人 RAITHEL DR KURT;ROSENHEINRICH RENE;

    申请日1961-11-25

  • 分类号

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 15:50:59

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