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机译:掺杂材料在半导体晶体特定电极中制备合金的方法
公开/公告号DE000001240186A
专利类型
公开/公告日1967-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DES0051429A
发明设计人 NISSL DR FRANZ;
申请日1956-11-29
分类号
国家 DE
入库时间 2022-08-23 14:10:14
机译: 线状电极合金化成半导体晶体的方法
机译: 由受主或施主性质在整流电极中合金化的方法,使半导体晶体中的金属保持定心合金形式
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