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机译：具有凹入形状的发射极区域的平面晶体管器件，该凹入形状的发射极区域在凹入部分中具有基极连接
公开/公告号US3319139A
专利类型
公开/公告日1967-05-09
原文格式PDF
申请/专利权人 HUGHES AIRCRAFT COMPANY;
申请/专利号US19640390378
发明设计人 RUEFFER HAROLD F.;
申请日1964-08-18
分类号H01L29/00;H01L29/73;
国家 US
入库时间 2022-08-23 13:45:51
机译： 在沟槽中具有基极区的纵向双极晶体管的形成，该沟槽具有沿着基极区的侧表面的一部分设置的发射极和集电极区
机译： 具有电流检测特性的晶体管-在基板上具有主晶体管区域，还带有单独布置的具有公共基极和集电极连接的测量区域以及单独的发射极区域
机译： 在沟槽中具有基极区域的纵向双极晶体管，其发射极和集电极区域沿着基极侧面的一部分设置
