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PHOTOEMITTER HAVING A P-TYPE SEMICONDUCTIVE SUBSTRATE OVERLAID WITH CESIUM AND N-TYPE CESIUM OXIDE LAYERS

机译:具有由铯和N型氧化铯层覆盖的P型半导电基质的光致增效剂

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号FR2000358A1

    专利类型

  • 公开/公告日1969-09-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 VARIAN ASSOCIATES;

    申请/专利号FR19690000496

  • 发明设计人

    申请日1969-01-15

  • 分类号H01L15/00;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-23 11:55:54

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