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机译：一种在低温下沉积高熔点接触金属层的方法。
公开/公告号DE1900119A1
专利类型
公开/公告日1970-08-13
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE19691900119
发明设计人 SIRTLDIPL.-CHEM.DR.ERHARD;
申请日1969-01-02
分类号C23C11/02;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 10:56:10
机译： 一种在低温下沉积高熔点接触金属层的方法。
机译： 多层接触系统包括沉积在半导体衬底上的接触金属，沉积在金属上的阻挡层，键合金属和由复合材料制成的保护性金属
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