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机译:划定锑化铟扩散接结装置中P-N结的方法
公开/公告号US3513536A
专利类型
公开/公告日1970-05-26
原文格式PDF
申请/专利权人 AVCO CORP.;
申请/专利号USD3513536
发明设计人 VERNON L. LAMBERT;
申请日1968-03-08
分类号H01L7/00;
国家 US
入库时间 2022-08-23 10:23:07
机译: 锑化铟上平面P-N结的制备过程
机译: 输送带;在传送带模块上注塑p-n结的方法;将p-n结整形为传送带模块的方法;于具有内置电容器的注模输送带模块的制造方法以及将能量收集提高到粘合输送带上的动力装置的方法
机译: 蛋白质半导体的制造方法,蛋白质半导体,P-N结的制造方法,P-N结,半导体装置的制造方法,电子装置,电子设备,以及导电性的控制方法