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机译:碲化汞和碲化镉的半导体合金中P-N结的制备过程
公开/公告号US3514347A
专利类型
公开/公告日1970-05-26
原文格式PDF
申请/专利权人 CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE;
申请/专利号USD3514347
发明设计人 CHRISTIAN VERIE;HUGUETTE RODOT;
申请日1967-05-25
分类号H01L7/62;
国家 US
入库时间 2022-08-23 10:22:56
机译: 在碲化汞和碲化镉半导体合金中制备p-n结的方法
机译: 包含碲化镉镉,碲化汞和碲化镉的器件和半导体层的制造方法
机译: 生产碲化镉镉的新方法,包含碲化汞和碲化镉的器件和半导体层