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SECONDARY-EMISSION CONDUCTIVITY TARGET COMPRISING HIGHLY POROUS STORAGE LAYER AND LESS POROUS INTERMEDIATE LAYER AS BASE FOR METAL FILM

机译：包含高多孔性存储层和较少多孔性中间层作为金属膜基础的二次发射导电性目标

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公开/公告号US3546514A

专利类型
公开/公告日1970-12-08

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申请/专利权人 FRANCAISE THOMSON HOUSTON HOTCHKISS BRANDT:CIE.;
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申请/专利号USD3546514
发明设计人 MICHEL BLAMOUTIER;
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申请日1967-04-24
分类号H01J31/28;H01J31/48;
国家 US
入库时间 2022-08-23 09:11:57

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