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机译:射频溅射制备铌酸锂单晶膜
公开/公告号US3649501A
专利类型
公开/公告日1972-03-14
原文格式PDF
申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.;
申请/专利号USD3649501
发明设计人 VARADACHARI SADAGOPAN;
申请日1970-06-18
分类号C23C15/00;
国家 US
入库时间 2022-08-23 07:58:44
机译: 铌酸锂*钽酸锂固体溶液的薄膜单晶的制备
机译: 具有改进的光诱导折射特性的铌酸锂单晶,包括铌酸锂单晶的光学增幅剂