首页> 外国专利> RADIATION HARDENED R-L FLIP-FLOP CIRCUIT

RADIATION HARDENED R-L FLIP-FLOP CIRCUIT

机译:辐射硬化的R-L翻转电路

摘要

Radiation hardening is provided by inserting inductors in series with resistors in the coupling cross-over paths of the flip-flop and by shunting the resistors with back connected diodes. The time constant of the circuit is selected such that the flip-flop returns to its initial state after a high radiation level has subsided due to stored energy in one inductor.
机译:通过在触发器的耦合跨接路径中插入与电阻器串联的电感器并通过与反向连接的二极管并联电阻器来提供辐射硬化。选择电路的时间常数,以便在高辐射水平由于一个电感器中存储的能量而消退之后,触发器返回到其初始状态。

著录项

  • 公开/公告号US3700930A

    专利类型

  • 公开/公告日1972-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ARMY USA;

    申请/专利号USD3700930

  • 发明设计人 XAVIER F. GONZALEZ;

    申请日1971-04-23

  • 分类号H03K3/286;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-23 07:50:15

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号