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机译:具有改进的向后击穿电压特性的肖特基势垒型半导体器件
公开/公告号US3742315A
专利类型
公开/公告日1973-06-26
原文格式PDF
申请/专利权人 MATSUSHITA ELECTRONICS CORPJA;
申请/专利号USD3742315
发明设计人 KANO GJA;IIZUKA MJA;TERAMOTO IJA;HASEGAWA HJA;FUJIWARA SJA;IWASA HJA;
申请日1971-10-18
分类号H01L5/02;H01L7/50;H01L7/60;
国家 US
入库时间 2022-08-23 06:27:20
机译: 制造能够改善电迁移特性,齐纳电压特性和时间相关介电击穿特性的半导体器件的方法
机译: 通过现场板层沉积改善击穿电压的肖特基势垒二极管的制造方法
机译: 能够提高击穿电压的碳化硅肖特基势垒二极管的制造方法