首页> 外国专利> method for forming a titaandioxydefilm on a medium and object partially or completely coated with a titaandioxydefilm formed in this way.

method for forming a titaandioxydefilm on a medium and object partially or completely coated with a titaandioxydefilm formed in this way.

机译:的方法,用于在介质和物体上部分或完全涂覆以这种方式形成的钛氧基二氧化钛膜上的钛氧基二氧化钛膜。

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号NL141476B

    专利类型

  • 公开/公告日1974-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MATSUSHITA ELECTRONICS CORPORATION OSAKA JAPAN.;

    申请/专利号NL19680008238

  • 发明设计人

    申请日1968-06-12

  • 分类号C03C3/12;C23C11/08;H01G3/075;H01L7/46;

  • 国家 NL

  • 入库时间 2022-08-23 06:09:48

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号