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机译:半导体光电阴极的制造方法,以及按照该方法制造的半导体光电阴极
公开/公告号DE000002340950A
专利类型
公开/公告日1974-03-14
原文格式PDF
申请/专利权人 TEXAS INSTRUMENTS INC;
申请/专利号DE2340950A
发明设计人 HARRAP VICTOR US;SKAGGS FRANK LEE US;BEAN KENNETH ELWOOD US;
申请日1973-08-13
分类号H01J31/28;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 05:33:12
机译: 一种制备半导体-光电阴极的方法,并根据半导体-光电阴极的方法生产
机译: 生产半导体光电阴极的方法
机译: 制造半导体的方法-光电阴极