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Growth of mercury cadmium telluride by liquid phase epitaxy and the product thereof

机译：液相外延法生长碲化汞镉及其产物

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摘要

Thin layers of mercury cadmium telluride, (Hg,Cd)Te, are formed by liquid phase epitaxy.
机译：碲化汞镉（Hg，Cd）Te的薄层是通过液相外延形成的。

著录项

  • 公开/公告号US3902924A

    专利类型

  • 公开/公告日1975-09-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HONEYWELL INC.;

    申请/专利号US19730393264

  • 发明设计人 SPEERSCHNEIDER;CHARLES J.;MACIOLEK;RALPH B.;

    申请日1973-08-30

  • 分类号H01L7/62;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-23 03:27:19

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