首页> 外国专利> electrical resistance having a resistance body of silicon carbide has a negative coefficient of temperature

electrical resistance having a resistance body of silicon carbide has a negative coefficient of temperature

机译:具有碳化硅电阻体的电阻具有负温度系数

摘要

The resistor body consists of p-doped pyrolytic polycrystalline cubic silicon carbide. Said body may be applied to a conductive or non-condutive support, e.g. consisting of strip or wire. The silicon carbide is deposited from the gas phase on a heated support by decomposition of a mixture of an Si compound and a carbon compound or silicon-carbon compound.
机译:电阻器主体由p掺杂的热解多晶立方碳化硅组成。所述主体可以被施加到导电或非导电支撑物上,例如支撑物。由条或线组成。通过使Si化合物和碳化合物或硅碳化合物的混合物分解,将碳化硅从气相沉积在加热的载体上。

著录项

  • 公开/公告号BE838626A

    专利类型

  • 公开/公告日1976-08-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号BE19760164374

  • 发明设计人

    申请日1976-02-16

  • 分类号H01C;

  • 国家 BE

  • 入库时间 2022-08-23 02:59:32

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号