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Charge coupled device including a slow-wave structure for providing charge transfer

机译:包括用于提供电荷转移的慢波结构的电荷耦合器件

摘要

A charge coupled device (CCD) wherein clocking or charge transfer at relatively high frequencies is obtained by the use of a slow- wave structure in the form of a metallized meander line fabricated on a relatively thin region of silicon dioxide contiguously formed on the surface of a silicon semiconductor substrate.
机译:一种电荷耦合器件(CCD),其中通过使用慢波结构以金属化曲折线的形式获得相对较高频率的时钟或电荷转移,该金属化曲折线制造在连续形成在硅表面上的相对较薄的二氧化硅区域上硅半导体衬底。

著录项

  • 公开/公告号US3975753A

    专利类型

  • 公开/公告日1976-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BHARAT;RAMASESHA;

    申请/专利号US19740522162

  • 发明设计人 RAMASESHA BHARAT;

    申请日1974-11-08

  • 分类号H01L29/78;H03K3/353;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-23 01:29:56

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