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PREPARATION OF INTERRLAYER INSULATION FILM UTILIZED IN MULTIILAYER WIR ING OF ELECTRONIC PARTS

机译:电子零件多层布线中的层间绝缘膜的制备

摘要

PURPOSE:To obtain an inter-layer insulation film free from contamination, humidity and corrision utilized in an IC etc. by providing Si3N4 films on the upper and lower side of a glass insulation film such as silicate glass.
机译:用途:通过在玻璃绝缘膜(例如硅酸盐玻璃)的上,下侧提供Si3N4膜,以获得没有IC等中使用的污染,湿气和腐蚀的层间绝缘膜。

著录项

  • 公开/公告号JPS52104087A

    专利类型

  • 公开/公告日1977-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HITACHI LTD;

    申请/专利号JP19760019988

  • 发明设计人 YOSHIMI TAKEO;SAKAI HIDEO;

    申请日1976-02-27

  • 分类号H01L21/768;H01L21/28;H01L49/02;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-23 01:23:59

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