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DEVICE FOR EFFECTING LIQUIDDPHASE EPITAXIAL GROWTH

机译：影响液相表皮生长的装置

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摘要

PURPOSE:To effect liquid-phase epitaxial growth by providing a temperature difference to a molten liquid such that the temperature is lower at an upper portion of the molten liquid.

机译：目的：通过向熔融液体提供温差，以使液相外延生长，从而使熔融液体的上部温度较低。

著录项

公开/公告号JPS536567A

专利类型
公开/公告日1978-01-21

原文格式PDF
申请/专利权人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP;
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申请/专利号JP19760081193
发明设计人 TOUGA TOSHIO;MITSUI KOUTAROU;
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申请日1976-07-07
分类号C30B19/00;H01L21/208;H01L21/68;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 23:01:44

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