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机译:半导体集成电路,包括一定的辐射敏感器官。
公开/公告号NL161010B
专利类型
公开/公告日1979-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED DALLAS TEXAS VER. ST. V. AM.;
申请/专利号NL19650008345
发明设计人
申请日1965-06-29
分类号H03K3/42;H01L27/14;H03F3/08;
国家 NL
入库时间 2022-08-22 20:42:36
机译: 半导体集成电路,包括一定的辐射敏感器官。
机译: 在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法,形成场效应晶体管的方法,在绝缘体衬底上形成半导体的方法,形成包含二氧化硅的跨度的方法,冷却半导体器件的方法,形成电磁辐射的方法发射器和导管,成像系统的形成方法,纳米流体通道的形成方法,荧光法和集成电路
机译: 在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法,形成场效应晶体管的方法,在绝缘体衬底上形成半导体的方法,形成包含二氧化硅的跨度的方法,冷却半导体器件的方法,形成电磁辐射的方法发射器和导管,成像器系统的形成方法,纳米流体通道的形成方法,荧光法和集成电路