当单晶膜在构成膜和衬底的材料与所得结构之间不匹配时在衬底上的生长过程。 p> & &首先通过真空沉积外延覆盖由镍半球形镍制成的胰岛12,通常是氯化钠的单晶衬底10,然后在真空下外延沉积银13的单晶层,然后在真空下外延沉积。金的单晶层14的真空。使用小岛可以大大减少#由于材料不一致而产生的缺陷。 p> & &尤其是在半导体行业中的应用,或该方法可用于在氧化铝上沉积硅。 p>
公开/公告号FR2413126A1
专利类型
公开/公告日1979-07-27
原文格式PDF
申请/专利号FR19780033643
申请日1978-11-23
分类号B01J17/22;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 19:31:37