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机译:补偿不规则写入磁场及其磁存储器的装置
公开/公告号JPS5517900A
专利类型
公开/公告日1980-02-07
原文格式PDF
申请/专利权人 BASF AG;
申请/专利号JP19790093809
发明设计人 YOAHIMU HATSUKU;
申请日1979-07-25
分类号G11B5/035;G11B5/09;G11B20/18;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 18:56:49
机译: 补偿外部杂散磁场的装置或补偿磁场梯度对磁场传感器的影响的装置
机译: 用于补偿外部寄生磁铁磁场或用于补偿磁场梯度对磁场传感器的影响的装置
机译: 用于补偿外部杂散磁场或用于补偿磁场梯度对磁场传感器的影响的装置