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PHOTO MASK FOR AUTOMATICALLY ALIGNING EXPOSURE AND AUTOMATICALLY ALIGNING EXPOSURE METHOD

机译:自动调整曝光量的照片框和自动调整曝光量的方法

摘要

PURPOSE:To enable automatically aligning exposure treatment to be done surely by using the photo mask which has plural parallel slits extending from the side of a polygon to the center of the polygon and having the slits parallel to each side of the polygon near the center of the polygon. CONSTITUTION:A photo mask 22 and a semiconductor wafer 21 respectively have the semiconductor-element-constituting chip patterns 23 and 24 which are disposed in a required number of row and column matrix form and position-detecting patterns 25, 26 are provided in at least two positions of the matrix of the photo mask 22. Target patterns 27, 28 are transferred to the semiconductor wafer. The target patterns have parallel slit columns 31 thru 34 extending from each side of a square to the center and slit columns 41 thru 44 parallel to each side near the center. The reflected light from the target patterns superposes at each side and is transmitted through the position-detecting patterns of the other photo mask having parallel slits on each side, whereby the position is detected.
机译:目的:通过使用具有从多边形的侧面延伸到多边形的中心并具有平行于多边形的每一边的狭缝的光掩模来确保自动对齐曝光处理,以确保自动对齐曝光处理。多边形。组成:光掩模22和半导体晶片21分别具有以所需数量的行和列矩阵形式设置的半导体构成芯片图案23和24,并且至少以至少一种位置检测图案25、26提供在光掩模22的矩阵的两个位置上,将目标图案27、28转印到半导体晶片上。目标图案具有从正方形的每一侧延伸到中心的平行的狭缝列31至34,以及在中心附近的每一侧平行的狭缝列41至44。来自目标图案的反射光在每一侧重叠,并透射通过在每一侧上具有平行狭缝的另一光掩模的位置检测图案,从而检测位置。

著录项

  • 公开/公告号JPS5555340A

    专利类型

  • 公开/公告日1980-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KYUSHU NIPPON ELECTRIC;

    申请/专利号JP19780127983

  • 发明设计人 FUKUYAMA SEIICHI;

    申请日1978-10-18

  • 分类号G03F1/00;G03F1/38;G03F9/00;H01L21/027;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 18:54:23

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