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机译:从硫酸镉中获得镉钾锌1-钾硫和低欧姆层薄层的方法
公开/公告号BG29765A1
专利类型
公开/公告日1981-02-16
原文格式PDF
申请/专利权人 RACHEVATEODORA M.;
申请/专利号BG19790045619
发明设计人 RACHEVATEODORA M.;
申请日1979-11-23
分类号C01G11/00;
国家 BG
入库时间 2022-08-22 16:20:42
机译: 用于工业生产的碲化镉/硫化镉薄膜太阳能组件,在硫化镉层上提供碲化镉吸收层,并含有锑,吸收层的厚度小于预设的微米
机译: 在太阳能电池的光伏器件上制备薄膜半导体层的步骤包括在基板上形成锡酸镉层,锡酸锌层,半导体窗口层和第二半导体层并加热
机译: 改性碲化镉层,改性碲化镉层的方法以及具有碲化镉层的薄膜装置