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机译:直拉法监测晶体生长过程的方法
公开/公告号SU998599A1
专利类型
公开/公告日1983-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 G REVOLYUTSII NI PI REDKOMETALLICHESKOJ PROMY GIREDMET;
申请/专利号SU19813320093
发明设计人 BRONSHTEJN IZIDOR KSU;LEBEDEV VILYAM LSU;KAZIMIROV VIKTOR NSU;LYUBIMOV IGOR LSU;
申请日1981-07-23
分类号C30B15/00;
国家 SU
入库时间 2022-08-22 10:15:16
机译: 用CCHOCHRALSKI增长技术监测热晶生长过程质量的系统。
机译: 硅单晶生长的装置,其筛分装置以及使用Czochralski法生长单晶的方法
机译: 在液体封装的切克劳斯基工艺中生长长单晶的设备和方法