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Polyvinylidene fluoride film having a dielectric rigidity upper and method for its preparation

机译：具有介电刚度的聚偏二氟乙烯膜及其制备方法

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摘要

A polyvinylidene fluoride film having a high dielectric strength of at least 10 MV/cm at room temperature and at least 8 MV/cm at 100 DEG C. and a process for producing the same.

机译：具有在室温下至少为10MV / cm和在100℃下至少为8MV / cm的高介电强度的聚偏二氟乙烯膜及其制造方法。

著录项

公开/公告号FR2421191B1

专利类型
公开/公告日1982-11-19

原文格式PDF
申请/专利权人 KUREHA KAGAKU KOGYO KK;
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申请/专利号FR19790008119
发明设计人
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申请日1979-03-30
分类号C08J7/10;C08J5/18;B32B27/30;B32B33/00;C08F14/22;H01B3/44;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 10:02:01

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