它包括一个装有陶瓷电容器20的框架,该框架由多回路11硅微晶硅和至少两回路电源(即主电路C,C和次级电路C, C.电容器位于主电源电路的终端。电容器定义的上陶瓷层上有一个导电层28,最高的电极位于该电容器中,它要在次级电源电路的端子上避开第二个电容性负载。 p> p>这些小电容器在集成电路设备中允许足够大的噪声和瞬态脉冲。
公开/公告号FR2521780A1
专利类型
公开/公告日1983-08-19
原文格式PDF
申请/专利号FR19820011096
发明设计人 PHILOFSKY ELLIOTT;ELLIOTT PHILOFSKY WARD PARKINSON ET DENNIS WILSON;PARKINSON WARD;WILSON DENNIS;
申请日1982-06-24
分类号H01L23/50;H01L23/02;H01L27/02;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 09:59:44