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机译:半导体器件中Leitebenen的分离程序
公开/公告号DD210504A1
专利类型
公开/公告日1984-06-13
原文格式PDF
申请/专利权人 WERK FERNSEHELEKTRONIK VEB DD;
申请/专利号DD19820243679
发明设计人 RAUSCH BODO DD;SCHIEMANN SIGRID DD;
申请日1982-09-30
分类号H01L21/316;
国家 DD
入库时间 2022-08-22 09:21:09
机译: 半导体器件中Leitebenen的分离程序
机译: 包含半导体本体的半导体器件的制造方法,该半导体本体具有填充有绝缘材料的沟槽的场隔离区
机译: 半导体器件的标记和隔离程序,以及用于实施“