BANDGAP VOLTAGE REFERENCE EMPLOYING SUB-SURFACE CURRENT USING A STANDARD CMOS PROCESS

• 1. 亚带隙补偿参考电压生成电路和亚带隙参考电压生成器 [P] . 中国专利： CN210691139U . 2020.06.05
• 2. 一种基于CMOS工艺的斩波带隙基准电路及参考电压芯片 [P] . 中国专利： CN103488232B . 2016.02.17
• 3. Bandgap voltage reference employing sub-surface current using a standard CMOS process [P] . 日本专利： JPH0324687B2 . 1991-04-03

  机译： 利用标准CMOS工艺采用表面电流的带隙基准电压源

• 4. BANDGAP VOLTAGE REFERENCE EMPLOYING SUB-SURFACE CURRENT USING A STANDARD CMOS PROCESS [P] . CA1168318A . 1984-05-29

  机译： 使用标准CMOS工艺使用亚表面电流的带隙电压参考

• 5. Bandgap voltage reference employing sub-surface current using a standard CMOS process [P] . 美国专利： US4317054A . 1982-02-23

  机译： 使用标准CMOS工艺采用表面电流的带隙基准电压源

• 1. High-PSRR High-Order Curvature-Compensated CMOS Bandgap Voltage Reference [J] . Qianneng Zhou, Yunsong Li, Jinzhao Lin, 哈尔滨工业大学学报（英文版） . 2015,第005期
• 2. Novel Approach to Low-Voltage Low-Power Bandgap Reference Voltage in Standard CMOS Process [C] . Fayomi, Christian Jesus B., Stratz, . 2006
• 3. An accurate, trimless, high PSRR, low-voltage, CMOS bandgap reference IC. [D] . Gupta, Vishal. 2007
• 4. A Regulated Temperature-Insensitive High-Voltage Charge Pump in Standard CMOS Process for Micromachined Gyroscopes [O] . Xiang Li, Rui Li, Chunge Ju, 2019
• 5. Design And Simulation Of Cmos-Based Bandgap Reference Voltage With Compensation Circuit Using 0.18 Μm Process Technology [O] . Chan Mun kit 2017

• 1. New Curvature-Compensated CMOS Bandgap Voltage Reference [J] . Lu Shen ,Ning Ning ,Qi Yu . 电子科技学刊 . 2007,第004期
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• 3. Current Processing Current Tunable Universal Biquad Filter Employing Two CCTAs and Two Grounded Capacitors [J] . Ravindra Singh Tomar ,Sajai Vir Singh ,Durg Singh Chauhan . 电路与系统（英文） . 2013,第6期
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