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MANUFACTURE OF SI3N4-SIC CERAMIC SINTERED BODY

机译:SI3N4-SIC陶瓷烧结体的制造

摘要

After sintering, ceramic body of Si3N4-SiC is heat-treated at 500 DEG -1500 DEG C. in atmosphere of gas mixture of chlorine and nitrogen whereby SiC is converted into silicon chloride which in turn is nitrided to form Si3N4 in the pores of the ceramic body to provide closed pore structure. Gas mixture may contain oxygen. Heat treatment may be conducted in pressurized atmosphere of gas mixture.
机译:烧结后,将Si3N4-SiC的陶瓷体在氯和氮的气体混合气氛中在500℃-1500℃下进行热处理,从而将SiC转化成氯化硅,然后将其氮化以在其孔中形成Si3N4。陶瓷体提供封闭的孔结构。气体混合物中可能含有氧气。热处理可以在混合气体的加压气氛中进行。

著录项

  • 公开/公告号JPS60171282A

    专利类型

  • 公开/公告日1985-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KUROSAKI YOUGIYOU KK;

    申请/专利号JP19840023912

  • 申请日1984-02-10

  • 分类号C04B35/565;C04B35/584;C04B35/593;C04B41/50;C04B41/80;C04B41/87;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 08:27:42

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