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机译：中继单元将半导体的碎片击穿到基板上
公开/公告号IT1063266B
专利类型
公开/公告日1985-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJITSU LIMITED;
申请/专利号IT19760023120
发明设计人
申请日1976-05-10
分类号H01L;
国家 IT
入库时间 2022-08-22 08:11:40
机译： 功率半导体模块，具有作为支撑体的基板，在基板的上侧将半导体单元与基板的底面安装在一起，并且该基板由金属材料与复合材料形成。
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