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REFLECTION PREVENTING FILM FOR USE IN MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD AND SOLUTION FOR MANUFACTURING REFLECTION PREVENTING FILM OF THIS TYPE AND USE THEREOF FOR ABSORPTION OF LIGHT BY ULTRAVIOLET PHOTOGRAPHIC LITHOGRAPHY

机译:用于制造半导体装置的防反射膜,制造这种类型的防反射膜的方法和解决方案以及用于通过紫外线照相照相术吸收光的方法和解决方案

摘要

Disclosed are antireflective layers for use in the manufacture of semi- conductor devices, methods and solutions for making such antireflective layers, and the use of such antireflective layers to absorb light in ultraviolet photolithography. The antireflective layers that are utilized comprise a polyphenylquinoxaline.
机译:公开了用于半导体器件的制造中的抗反射层,用于制造这种抗反射层的方法和解决方案,以及这种抗反射层在紫外线光刻中用于吸收光的用途。使用的抗反射层包括聚苯基喹喔啉。

著录项

  • 公开/公告号JPS61190942A

    专利类型

  • 公开/公告日1986-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PHILIP A HUNT CHEM CORP;

    申请/专利号JP19850125278

  • 发明设计人 UIRIAMU FUREDERITSUKU KOODESU ZA SAADO;

    申请日1985-06-11

  • 分类号G03C5/00;G03C1/00;G03F7/09;G03F7/11;G03F7/26;H01L21/027;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 07:48:14

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