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A METHOD OF MAKING AN IMPROVED PHOTORESPONSIVE SILICON-BASED ALLOY

机译:一种制造改良的光敏硅基合金的方法

摘要

A semiconductor material comprises amorphous Si containing F (a- Si: F) together with a band gap increasing modifier (e.g. C or N). H may also be incorporated in the material which may be doped. The material may be used in Schottky, MIS and PIN solar cells or in photoconductive or electrophotographic devices.
机译:半导体材料包括含有F(a-Si:F)的非晶硅以及带隙增加改性剂(例如C或N)。 H也可以掺入可以掺杂的材料中。该材料可用于肖特基,MIS和PIN太阳能电池或光电导或电子照相设备。

著录项

  • 公开/公告号IN157494B

    专利类型

  • 公开/公告日1986-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ENERGY CONVERSION DEVICES INC.;

    申请/专利号IN1004CA1981

  • 发明设计人 OVSHINSKY STANFORD ROBERT;

    申请日1981-09-07

  • 分类号B01J17/30;B01J17/34;B01J17/36;

  • 国家 IN

  • 入库时间 2022-08-22 07:41:16

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