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机译:阶梯状半导体结构中过渡区的测量方法和电路
公开/公告号PL252506A1
专利类型
公开/公告日1986-09-23
原文格式PDF
申请/专利权人 POLSKA AKADEMIA NAUK INSTYTUT;
申请/专利号PL19850252506
发明设计人 KUZNICKI ZBIGNIEW T;RANACHOWSKI JERZY;STRAZYNSKA HANNA;
申请日1985-03-22
分类号H01L;
国家 PL
入库时间 2022-08-22 07:40:30
机译: 能够提供在过渡区域平稳过渡的上升和下降过渡的驱动器电路
机译: 用作横向扩散金属氧化物半导体晶体管的半导体结构包括具有源极和漏极区域,在源极和漏极区域之间的沟道区域以及在漏极部分之间的过渡上方的场板的衬底