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机译:半导体器件,用于高电压,钝化层以及掺有氧的硅层policristallino
公开/公告号IT1137677B
专利类型
公开/公告日1986-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 RCA CORP.;
申请/专利号IT19810020995
发明设计人 MANNING JOHN;KOONS PATRICK ROBERT;SAVIDGE NEILSON;
申请日1981-04-08
分类号H01L;
国家 IT
入库时间 2022-08-22 07:38:58
机译: 张力,钝化与一层半导体器件,用于掺杂氧的高policristallino硅。
机译: 包括形成在氧掺杂层上的氧掺杂层和硅掺杂层的氮化物半导体模板和发光二极管
机译: 具有掺杂有氧的硅层的半导体器件,以限制从重掺杂的硅层的扩散及其制造过程