首页> 外文OA文献 >Erratum: “Electroluminescence from metal-oxide-semiconductor devices with erbium-doped CeO2 films on silicon” Appl. Phys. Lett. 106, 141102 (2015)

【2h】

Erratum: “Electroluminescence from metal-oxide-semiconductor devices with erbium-doped CeO2 films on silicon” Appl. Phys. Lett. 106, 141102 (2015)

机译：错误：“用氧化铒CeO2薄膜的金属氧化物半导体器件的电致发光”苹果。物理。吧。 106,141102（2015）

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Chunyan Lv; Chen Zhu; Canxing Wang; Yuhan Gao; Xiangyang Ma; Deren Yang;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2016
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Publisher's Note: 'Bipolar resistive switching characteristics in tantalum nitride-based resistive random access memory devices' [Appl. Phys. Lett. 106,203101 (2015)] [J] . Myung Ju Kim, Dong Su Jeon, Ju Hyun Park, Applied Physics Letters . 2016,第4期

机译：出版者的注释：“基于氮化钽的电阻式随机存取存储设备中的双极电阻式开关特性”物理来吧106,203101（2015）]
2. Comment on 'Disentangling longitudinal and shear elastic waves by neo-Hookean soft devices' [Appl. Phys. Lett. 106, 161903(2015)] [J] . Pavel I. Galich, Stephan Rudykh Applied Physics Letters . 2015,第5期

机译：评论“通过新霍克式软装置解开纵向和剪切弹性波” [Appl。物理来吧106，161903（2015）]
3. Erratum: "Enhanced light emission in photonic crystal nanocavities with erbium-doped silicon nanocrystals" [Appl. Phys. Lett. 92, 161107 (2008)] [J] . Maria Makarova, Vanessa Sih, Joe Warga, Applied Physicsletters . 2008,第21期

机译：勘误表：“掺with硅纳米晶体增强了光子晶体纳米腔中的发光”物理来吧92，161107（2008）]
4. Enhancing the Blue Emission in Ce doped Silicon Oxynitrides Thin Films for Electroluminescence Device Applications [C] . F. Ehre, C. Dufour, O. Blazquez, Meeting of the Electrochemical Society . 2018

机译：增强Ce掺杂氮氧氮化硅薄膜的蓝色发射，用于电致发光器件应用
5. Erratum: Silicon electronics on silk as a path to bioresorbable implantable devices Appl. Phys. Lett. 95 133701 (2009) [O] . Dae-Hyeong Kim, Yun-Soung Kim, Jason Amsden, -1

机译：勘误表：丝绸上的硅电子产品是通往可生物吸收可植入设备的途径物理来吧95133701（2009）
6. Erratum: “Charge trapping at the MoS2-SiO2 interface and its effects on the characteristics of MoS2 metal-oxide-semiconductor field effect transistors” Appl. Phys. Lett. 106, 103109 (2015) [O] . Yao Guo, Xianlong Wei, Jiapei Shu, 2016

机译：错误：“在MOS2-SiO2接口处的电荷捕获及其对MOS2金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的特性的影响”Appl。物理。吧。 106,103109（2015）

Erratum: “Electroluminescence from metal-oxide-semiconductor devices with erbium-doped CeO2 films on silicon” Appl. Phys. Lett. 106, 141102 (2015)

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅