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机译:带有外部涂层玻璃状半导体双层的高压瓷绝缘子。
公开/公告号IT8621519D0
专利类型
公开/公告日1986-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 RICERCA CERAMICA SRL;
申请/专利号IT19860021519
发明设计人 ARCANGELO PELLEGRINO;
申请日1986-08-25
分类号H01L;
国家 IT
入库时间 2022-08-22 07:38:39
机译: 绝缘体上硅的构造中的金属氧化物晶体管对悬浮体的抑制作用包括由掺杂层和半导体层形成的势垒层,而无需施加外部电压
机译: 完全耗尽的绝缘体上硅(FDSOI)上的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件,可实现高输入电压
机译: 绝缘体(FDSOI)上完全耗尽硅的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件,可实现高输入电压