退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:晶界再氧化型半导体电容器的陶瓷成分
公开/公告号JPS6250967B2
专利类型
公开/公告日1987-10-28
原文格式PDF
申请/专利权人 NICHICON CAPACITOR LTD;
申请/专利号JP19780148217
发明设计人 KITO NORIMITSU;YONEDA YASUNOBU;
申请日1978-11-29
分类号H01G4/12;C04B35/00;C04B35/46;H01B3/12;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 07:23:20
机译: 晶界再氧化型半导体电容器的陶瓷成分
机译: 氧化还原型半导体电容器的陶瓷组成和陶瓷