SCHOTTKY DIODELOGIKK FOR E.MODUS FET/D-MODUS FET EKSTRA STORSKALAINTEGRASJONS (VLSI)KRETSER.

• 1. 一种超大规模集成电路VLSI综合方法 [P] . 中国专利： CN104573261B . 2017.10.13
• 2. 一种超大规模集成电路VLSI形式化验证平台及方法 [P] . 中国专利： CN105893685A . 2016-08-24
• 3. SCHOTTKY DIODELOGIKK FOR E.MODUS FET/D-MODUS FET EKSTRA STORSKALAINTEGRASJONS (VLSI)KRETSER. [P] . NO882189D0 . 1988-05-19

  机译： 适用于E.MODUS粗体/ D模式粗体超大规模集成电路（VLSI）电路的肖特基二极管。

• 4. SCHOTTKY DIODELOGIKK FOR E-MODUS FET/D-MODUS FET EKSTRA STORSKALAINTEGRASJONS (VLSI)KRETSER. [P] . NO882189A . 1988-05-19

  机译： 适用于E模式粗体/ D模式粗体超大规模集成电路（VLSI）电路的肖特基二极管。

• 5. Schottky diode logic for E-mode FET/D-mode FET VLSI circuits [P] . 日本专利： JPH02500790A . 1990-03-15

  机译： E模式FET / D模式FET VLSI电路的肖特基二极管逻辑

• 1. Schottky MOSFET for VLSI [C] . Koeneke C.J., Sze S.M., Levin R.M., Electron Devices Meeting, 1981 International . -1
• 2. Fundamental Studies of Supported Graphene Interfaces: Defect Density of States in Graphene Field Effect Transistors (FETs) and Ideal Graphene - Silicon Schottky Diodes [D] . Sinha, Dhiraj P. 2014
• 3. Gate leakage current induced trapping in AlGaN/GaN Schottky-gate HFETs and MISHFETs [O] . Wen-Chia Liao, Yan-Lun Chen, Zheng-Xing Chen, 2014
• 4. Schottky-Barrier height lowering by an increase of the substrate doping in PtSi Schottky barrier source/drain FETs [O] . Lousberg, Grégory, Yu, H. Y., Froment, B., 2007

• 1. 4H-SiC trench MOSFET with an integrated Schottky barrier diode and L-shaped P^+shielding region [J] . Xiaorong Luo ,Ke Zhang ,Xu Song . 半导体学报：英文版 . 2020,第10期
• 2. VLSI中LDD MOSFET工艺分析及研究 [J] . 江鸿 . 江南半导体通讯 . 1992,第003期
• 3. 用于超高速数字和混合模拟/数字LSI/VLSI电路的自对准栅Ⅲ-Ⅴ族异质结构FET技术 [J] . A.I.Akinwande ,敖金平 . 半导体情报 . 1991,第2期
• 4. 应用于VLSI的PSSWS—LDD MOSFET优化工艺研究 [J] . 徐大林 ,王方 . 半导体学报 . 1990,第002期
• 5. 反应离子刻蚀用于实现VLSI的多晶侧壁LDD MOSFET工艺优化研究 [J] . 徐大林 ,王方 ,李荫波 . 固体电子学研究与进展 . 1990,第3期
• 6. 0.34THz准平衡式肖特基二极管检波器电路 [C] . Tian Yaoling ,田遥岭 ,Jiang Jun . 第三届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 . 2016
• 7. 新型超大规模集成电路（VLSI）直流参数自动测试系统 [A] . 马秀莹 . 2005