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Superlattice doped layers for amorphous silicon photovoltaic cells

机译:用于非晶硅光伏电池的超晶格掺杂层

摘要

Superlattice doped layers for amorphous silicon photovoltaic cells comprise a plurality of first and second lattices of amorphous silicon alternatingly formed on one another. Each of the first lattices has a first optical bandgap and each of the second lattices has a second optical bandgap different from the first optical bandgap. A method of fabricating the superlattice doped layers also is disclosed.
机译:用于非晶硅光伏电池的超晶格掺杂层包括彼此交替形成的多个非晶硅的第一和第二晶格。每个第一格子具有第一光学带隙,并且每个第二格子具有与第一光学带隙不同的第二光学带隙。还公开了一种制造超晶格掺杂层的方法。

著录项

  • 公开/公告号US4718947A

    专利类型

  • 公开/公告日1988-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SOLAREX CORPORATION;

    申请/专利号US19860853032

  • 发明设计人 RAJEEWA R. ARYA;

    申请日1986-04-17

  • 分类号H01L31/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 06:49:35

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