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Semiconductor gas sensor having thermally-isolated site

机译:具有热隔离部位的半导体气体传感器

摘要

A preferred semiconductor gas sensor (l0) of this invention features a gas-interaction site (l2) comprising a gas-sensitive semiconductor thin film (33) and means (26) for heating the film (33) to an operative temperature. The thin film (33) and heating means (26) are carried upon a region (20) of a substrate (l4) that is etched opposite the site (l2) to reduce the thickness of the region (20) and thereby reduce heat flow from region (20) into a surrounding region (2l).
机译:本发明的优选的半导体气体传感器(10)的特征在于气体相互作用部位(12),其包括对气体敏感的半导体薄膜(33)和用于将薄膜(33)加热到工作温度的装置(26)。薄膜(33)和加热装置(26)承载在衬底(14)的与位置(12)相对地蚀刻的区域(20)上,以减小区域(20)的厚度,从而减小热流从区域(20)到周围区域(2l)。

著录项

  • 公开/公告号EP0230104A3

    专利类型

  • 公开/公告日1989-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GENERAL MOTORS CORPORATION;

    申请/专利号EP19860308722

  • 发明设计人 CHANG SHIH-CHIA;HICKS DAVID BYRUM;

    申请日1986-11-10

  • 分类号G01N27/12;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 06:34:49

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