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Gas pressure sintering of silicon nitride with addition of rare earth oxides

机译:添加稀土氧化物的氮化硅的气压烧结

摘要

A silicon nitride base sintered body having high strength at normal and high temperatures is obtained by a nitrogen gas atmosphere pressure sintering method using a combination of Y.sub.2 O.sub.3 and Nd. sub.2 O. sub.3 and/or Sm.sub.2 O.sub.3 as a sintering aid. The molar ratio of Y. sub.2 O.sub.3 to Nd.sub.2 O.sub.3 and/or Sm.sub.2 O.sub.3 is from 9:1 to 1:9. The pressure of the nitrogen gas atmosphere is not lower than 1 atm and is lower than 500 atm. The sintering temperature is 1750°-2200. degree. C.
机译:通过使用Y 2 O 3和Nd的组合的氮气大气压烧结法获得在常温和高温下具有高强度的氮化硅基烧结体。 Sub.2 O.sub.3和/或Sm.sub.2 O.sub.3作为烧结助剂。 Y 2 O 3与Nd 2 O 3和/或Sm 2 O 3的摩尔比为9∶1至1∶9。氮气气氛的压力不小于1atm且小于500atm。烧结温度为1750°-2200。度。 C。

著录项

  • 公开/公告号US4810678A

    专利类型

  • 公开/公告日1989-03-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NISSAN MOTOR CO. LTD.;

    申请/专利号US19870117543

  • 发明设计人 NAOTO HIROSAKI;AKIRA OKADA;

    申请日1987-11-06

  • 分类号C04B35/58;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 06:28:28

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