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Method of reactive ion etching molybdenum and molybdenum silicide

机译:反应离子刻蚀钼和硅化钼的方法

摘要

The method of reactive ion etching molybdenum or molybdenum silicide include the steps of placing a sample (4) to be etched on one of two opposed electrodes (2, 3) in a vacuum chamber (1), charging an etching gas into the chamber, applying high frequency electrical power to the electrodes to generate a discharge between them, and etching the exposed portion of the sample. The gas is a mixture of chlorine and oxygen, with the oxygen flow rate being less than about 30% of the total flow rate of the mixture.
机译:反应性离子蚀刻钼或硅化钼的方法包括以下步骤:将要蚀刻的样品(4)放在真空室(1)中的两个相对电极(2、3)之一上,将蚀刻气体充入该室中,向电极施加高频电功率以在电极之间产生放电,并蚀刻样品的裸露部分。气体是氯和氧气的混合物,氧气流速小于混合物总流速的约30%。

著录项

  • 公开/公告号EP0127268B1

    专利类型

  • 公开/公告日1990-06-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA;

    申请/专利号EP19840301475

  • 发明设计人 WATANABE TOHRUPATENT DIVISION;

    申请日1984-03-06

  • 分类号H01L21/31;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 06:14:45

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