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公开/公告号CN112266263A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-26
原文格式PDF
申请/专利权人 中南大学;
申请/专利号CN202011157208.6
发明设计人 刘新利;王德志;吴壮志;段柏华;陈浩;
申请日2020-10-26
分类号C04B38/00(20060101);C04B35/58(20060101);C04B35/622(20060101);B01D39/20(20060101);
代理机构43235 长沙轩荣专利代理有限公司;
代理人黄艺平
地址 410000 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
入库时间 2023-06-19 09:40:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-11
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B38/00 专利申请号:2020111572086 申请公布日:20210126
发明专利申请公布后的驳回
机译: 基于例如由二硅化钼加热器制成的二硅化钼制备粉末加热器的方法
机译: 制备二硅化钼或二硅化钼/氧化铝组合物的方法
机译: 制备钼,硅化钼或碳化物/陶瓷掺合物和烧结复合材料的方法
机译:空气等离子体喷涂在钼基体上制备二硅化钼涂层及表征
机译:纤维增强气凝胶复合材料上高发射率二硅化钼-硼硅酸铝玻璃杂化涂层的制备及耐热冲击性能
机译:用高压烧结生产碳化硅增强钼二硅化物复合材料
机译:利用X射线成像和温度测量来监测电凝固过程中二硅化钼-碳化硅复合材料的自蔓延高温合成(SHS)反应和致密化
机译:多相钼-硅化钼-硅化钼硼化物金属间化合物的氧化行为。
机译:由废弃的二硅化钼加热元件制备的单晶MoO3微米和毫米带
机译:在碳化硅和二硅化钼上形成硅化物涂层的技术特性
机译:射频溅射溴化铬,钼,二硅化钼和二硫化钼涂层的X射线光电子能谱研究及其摩擦性能