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机译:具有接地衬底载体的射频等离子体溅射刻蚀设备中离子刻蚀的方法
公开/公告号DD289778A5
专利类型
公开/公告日1991-05-08
原文格式PDF
申请/专利权人 DRESDEN FORSCHZENTR MIKROELEK DE;
申请/专利号DD19890335100
发明设计人 WEINRICH WERNER DE;REICHARDT HORST DE;HEMMERLING JUERGEN DE;KUENZEL MANFRED DE;
申请日1989-12-01
分类号C23C14/34;
国家 DD
入库时间 2022-08-22 05:59:14
机译: 的金属硅或硅化物的结构的制造方法-通过反应性离子连接的现有的用于集成卤化物的现有层的多晶硅。
机译: 反应离子化的过程。
机译: 钼和钼硅的反应性离子连接的方法。