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IMPROVING STEP COVERAGE OF A METALLIZATION LAYER ON AN INTERGRATED CIRCUIT BY USE OF A HIGH MELTING POINT METAL AS AN ANTIREFLECTIVE COATING

机译:通过使用高熔点金属作为抗反射涂层来改善集成电路上金属化层的覆盖率

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号GB9117295D0

    专利类型

  • 公开/公告日1991-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC;

    申请/专利号GB19910017295

  • 发明设计人

    申请日1991-08-09

  • 分类号H01L21/28;H01L21/321;H01L21/768;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-22 05:47:26

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