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机译:通过使用高熔点金属作为抗反射涂层来改善集成电路上金属化层的覆盖率
公开/公告号GB9117295D0
专利类型
公开/公告日1991-09-25
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC;
申请/专利号GB19910017295
发明设计人
申请日1991-08-09
分类号H01L21/28;H01L21/321;H01L21/768;
国家 GB
入库时间 2022-08-22 05:47:26
机译: 在激光平坦化过程中通过使用高熔点金属作为抗反射涂层来改善集成电路上金属化层的阶梯覆盖的方法
机译: 利用激光熔断时高熔点金属作为抗反射膜来改善整体电路上金属涂层的覆盖率的方法
机译: 通过使用钼作为抗反射涂层来改善集成电路上金属化层的阶梯覆盖的方法