首页> 外国专利> Thin film material for sensing or actuating devices and process for producing the same

Thin film material for sensing or actuating devices and process for producing the same

机译:用于感测或致动装置的薄膜材料及其制造方法

摘要

A thin layer material for sensors and actuators based on silicon and a process for the production of such a thin layer material are described. The material consists of silicon oxide nitride, which is applied by the process onto a suitable substrate material, preferably silicon, after which the substrate material is removed in certain regions. IMAGE
机译:描述了用于基于硅的传感器和致动器的薄层材料以及用于生产这种薄层材料的方法。该材料由氮化硅组成,该氮化硅通过该工艺被施加到合适的衬底材料上,优选为硅,然后在某些区域中去除衬底材料。 <图像>

著录项

  • 公开/公告号EP0381046A3

    专利类型

  • 公开/公告日1992-06-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HAUNI ELEKTRONIK GMBH;

    申请/专利号EP19900101462

  • 申请日1990-01-25

  • 分类号C23C16/30;G01L9/00;H01H1/00;H02N1/00;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 05:30:09

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号