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Low sheet resistance diffused contacts to buried diffused resistors using isolation regions and buried layer

机译:使用隔离区和掩埋层的低薄层电阻扩散触点与掩埋扩散电阻器

摘要

A device and method for using and making semiconductor device wherein leadouts and isolation regions are formed using the same process step. A buried layer is formed in the substrate of the semiconductor device which is used to isolate the leadouts from the grounded substrate. The isolation region and the leadouts are then diffused into the structure at the same time using the same diffusant.
机译:一种使用和制造半导体器件的器件和方法,其中使用相同的工艺步骤形成引出线和隔离区。在半导体器件的衬底中形成掩埋层,该掩埋层用于将引出线与接地的衬底隔离。然后使用相同的扩散剂将隔离区域和引出线同时扩散到结构中。

著录项

  • 公开/公告号EP0434318A3

    专利类型

  • 公开/公告日1992-08-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HONEYWELL INC.;

    申请/专利号EP19900313684

  • 发明设计人 JOHNSON RALPH H;

    申请日1990-12-14

  • 分类号H01L21/74;H01L29/86;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 05:29:59

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